| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BUL216 |
| EBEE-Teilenummer | E8181030 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 90W [email protected],5V 4A NPN TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3084 | $ 1.3084 |
| 10+ | $1.1075 | $ 11.0750 |
| 50+ | $0.9989 | $ 49.9450 |
| 100+ | $0.8740 | $ 87.4000 |
| 500+ | $0.8180 | $ 409.0000 |
| 1200+ | $0.7944 | $ 953.2800 |
| 1800+ | $0.7836 | $ 1410.4800 |
| 4200+ | $0.7764 | $ 3260.8800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | ST BUL216 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+150℃ | |
| Sammlerstrom (Ic) | 4A | |
| Stromableitung (Pd) | 90W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 500uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 800V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | [email protected],5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1V@1A,0.2A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3084 | $ 1.3084 |
| 10+ | $1.1075 | $ 11.0750 |
| 50+ | $0.9989 | $ 49.9450 |
| 100+ | $0.8740 | $ 87.4000 |
| 500+ | $0.8180 | $ 409.0000 |
| 1200+ | $0.7944 | $ 953.2800 |
| 1800+ | $0.7836 | $ 1410.4800 |
| 4200+ | $0.7764 | $ 3260.8800 |
