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SPTECH 2SB863
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SB863 |
| EBEE-Teilenummer | E8480231 |
| Gehäuse | TO-3PI |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-3PI Bipolar (BJT) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | SPTECH 2SB863 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 140V | |
| Current - Collector(Ic) | 10A | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| DC Current Gain | 160 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 5uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2V | |
| Transition frequency(fT) | 15MHz |
Einkaufsleitfaden
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