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Solid State System 2N5884
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5884 |
| EBEE-Teilenummer | E85503645 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 200W 35@3A,4V 25A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | Solid State System 2N5884 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 25A | |
| Stromableitung (Pd) | 200W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 2mA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 35@3A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 4MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | [email protected],25A | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
