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Sharp Microelectronics GH16P32B8C
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GH16P32B8C |
| EBEE-Teilenummer | E8473924 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 2.3V 660nm 42mA 120mA Laser Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1431 | $ 1.1431 |
| 10+ | $0.9604 | $ 9.6040 |
| 30+ | $0.8680 | $ 26.0400 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.6035 | $ 301.7500 |
| 1000+ | $0.5751 | $ 575.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Optoelektronik ,Laser Dioden | |
| Datenblatt | Sharp Microelectronics GH16P32B8C | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -10℃~+70℃ | |
| Betriebsspannung | 2.3V | |
| Betrieb | 120mA | |
| Wellenlänge | 660nm | |
| Schwellenstrom | 42mA | |
| Winkel | 9.3°@Horizontal;15°@Vertical |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.8680 | $ 26.0400 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.6035 | $ 301.7500 |
| 1000+ | $0.5751 | $ 575.1000 |
