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Shandong Jingdao Microelectronics US1M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1M |
| EBEE-Teilenummer | E8112545 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.65V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.0097 | $ 0.4850 |
| 500+ | $0.0076 | $ 3.8000 |
| 1500+ | $0.0064 | $ 9.6000 |
| 5000+ | $0.0057 | $ 28.5000 |
| 25000+ | $0.0052 | $ 130.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Shandong Jingdao Microelectronics US1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.65V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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