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Shandong Jingdao Microelectronics ES1D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ES1D |
| EBEE-Teilenummer | E8116492 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1V@1A 35ns Independent Type 1A 200V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0116 | $ 0.5800 |
| 500+ | $0.0093 | $ 4.6500 |
| 1500+ | $0.0080 | $ 12.0000 |
| 5000+ | $0.0072 | $ 36.0000 |
| 25000+ | $0.0066 | $ 165.0000 |
| 50000+ | $0.0062 | $ 310.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Shandong Jingdao Microelectronics ES1D | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@200V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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