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Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | K4FBE3D4HM-MGCJ |
| EBEE-Teilenummer | E819188580 |
| Gehäuse | BGA-200 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | BGA-200 DRAM ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,DRAM | |
| Datenblatt | Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -25℃~+85℃ | |
| Spannung - Versorgung | 1.7V~1.95V;1.06V~1.17V | |
| Speichergröße | 32Gbit | |
| Memory Format | LPDDR4 SDRAM | |
| Auffrischen von Strom | 1mA;2.7mA;400uA | |
| Strom - Versorgung | 10mA;65mA;500uA |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
