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PJSEMI MMBT5401
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT5401 |
| EBEE-Teilenummer | E8411779 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 150V 350mW 240 600mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 50+ | $0.0168 | $ 0.8400 |
| 500+ | $0.0131 | $ 6.5500 |
| 3000+ | $0.0102 | $ 30.6000 |
| 6000+ | $0.0090 | $ 54.0000 |
| 24000+ | $0.0079 | $ 189.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | PJSEMI MMBT5401 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 150V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| DC Current Gain | 240 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Einkaufsleitfaden
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