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PJSEMI 2SD965ASQ-R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SD965ASQ-R |
| EBEE-Teilenummer | E8411782 |
| Gehäuse | SOT-89 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 750mW 650@500mA,2V 5A NPN SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0665 | $ 0.6650 |
| 100+ | $0.0526 | $ 5.2600 |
| 300+ | $0.0456 | $ 13.6800 |
| 1000+ | $0.0404 | $ 40.4000 |
| 6000+ | $0.0362 | $ 217.2000 |
| 9000+ | $0.0341 | $ 306.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | PJSEMI 2SD965ASQ-R | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V | |
| Current - Collector(Ic) | 5A | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 750mW | |
| DC Current Gain | 650 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 7V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz |
Einkaufsleitfaden
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