| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TIP35B |
| EBEE-Teilenummer | E83200826 |
| Gehäuse | TO-218 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 125W 10@15A,4V 25A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | ||
| Datenblatt | onsemi TIP35B | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 25A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | - | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 10@15A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 3MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | - | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
