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onsemi TIP35B


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TIP35B
EBEE-Teilenummer
E83200826
Gehäuse
TO-218
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
80V 125W 10@15A,4V 25A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$2.7966$ 2.7966
200+$1.0825$ 216.5000
500+$1.0452$ 522.6000
1000+$1.0257$ 1025.7000

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TypBeschreibung
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Kategorie
Datenblattonsemi TIP35B
RoHS
Temperatur-65℃~+150℃@(Tj)
Sammlerstrom (Ic)25A
Stromableitung (Pd)125W
Sammler Cut-Off Current (Icbo)-
Durchlaufspannung (Vceo)80V
DC Current Gain (hFE-Ic,Vce)10@15A,4V
Übergangsfrequenz (fT)3MHz
Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib)-
TransistortypNPN

Einkaufsleitfaden

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