Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
onsemi SMMUN2211LT3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SMMUN2211LT3G |
| EBEE-Teilenummer | E8896914 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 35@10mA,10V 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0981 | $ 0.4905 |
| 50+ | $0.0785 | $ 3.9250 |
| 150+ | $0.0687 | $ 10.3050 |
| 500+ | $0.0614 | $ 30.7000 |
| 2500+ | $0.0555 | $ 138.7500 |
| 5000+ | $0.0526 | $ 263.0000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | onsemi SMMUN2211LT3G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 10kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 246mW | |
| DC Current Gain | 35 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Output Voltage(VO(on)) | 200mV |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0981 | $ 0.4905 |
| 50+ | $0.0785 | $ 3.9250 |
| 150+ | $0.0687 | $ 10.3050 |
| 500+ | $0.0614 | $ 30.7000 |
| 2500+ | $0.0555 | $ 138.7500 |
| 5000+ | $0.0526 | $ 263.0000 |
