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onsemi NTMFS4C08NAT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTMFS4C08NAT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8900287 |
| Gehäuse | SO-8FL |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 4.6mΩ@10V,18A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8FL MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5141 | $ 1.5141 |
| 200+ | $0.5858 | $ 117.1600 |
| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | ||
| Datenblatt | onsemi NTMFS4C08NAT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 16.4A;52A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,18A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.51W;25.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 39pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.67nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 18.2nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
