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onsemi NSVMUN5111DW1T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NSVMUN5111DW1T3G |
| EBEE-Teilenummer | E8463398 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 35@5mA,10V 250mW 100mA 50V SC-88-6 Digital Transistors ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0815 | $ 0.4075 |
| 50+ | $0.0722 | $ 3.6100 |
| 150+ | $0.0675 | $ 10.1250 |
| 500+ | $0.0640 | $ 32.0000 |
| 2500+ | $0.0612 | $ 153.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | onsemi NSVMUN5111DW1T3G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | PNP | |
| Input Resistor | 10kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 2.2V@10mA,200mV | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 PNP Pre-Biased Transistors | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| DC Current Gain | 35 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
Einkaufsleitfaden
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