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onsemi MUN5330DW1T1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MUN5330DW1T1G |
| EBEE-Teilenummer | E8463100 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 3@5mA,10V 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased 250mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0496 | $ 0.4960 |
| 100+ | $0.0398 | $ 3.9800 |
| 300+ | $0.0348 | $ 10.4400 |
| 3000+ | $0.0312 | $ 93.6000 |
| 6000+ | $0.0283 | $ 169.8000 |
| 9000+ | $0.0268 | $ 241.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MUN5330DW1T1G | |
| RoHS | ||
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased | |
| Collector Current (Ic) | 100mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 3@5mA,10V |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0312 | $ 93.6000 |
| 6000+ | $0.0283 | $ 169.8000 |
| 9000+ | $0.0268 | $ 241.2000 |
