Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
onsemi MUN2214T1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MUN2214T1G |
| EBEE-Teilenummer | E8132288 |
| Gehäuse | SC-59 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | [email protected],10V 230mW 100mA 50V SC-59 Digital Transistors ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>375 Auf Lager für schnelle Lieferung
375 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1436 | $ 0.7180 |
| 50+ | $0.1195 | $ 5.9750 |
| 150+ | $0.1075 | $ 16.1250 |
| 500+ | $0.0984 | $ 49.2000 |
| 3000+ | $0.0688 | $ 206.4000 |
| 6000+ | $0.0652 | $ 391.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MUN2214T1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 10kΩ | |
| Resistor Ratio | 0.21 | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 230mW | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Output Voltage(VO(on)) | 200mV |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
375 Stock for Shipping Fast
375 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1436 | $ 0.7180 |
| 50+ | $0.1195 | $ 5.9750 |
| 150+ | $0.1075 | $ 16.1250 |
| 500+ | $0.0984 | $ 49.2000 |
| 3000+ | $0.0688 | $ 206.4000 |
| 6000+ | $0.0652 | $ 391.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
