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onsemi MSD42SWT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MSD42SWT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8891779 |
| Gehäuse | SC-70 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 300V 150mW 25@1mA,10V 150mA NPN SC-70 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1533 | $ 0.1533 |
| 200+ | $0.0593 | $ 11.8600 |
| 500+ | $0.0573 | $ 28.6500 |
| 1000+ | $0.0562 | $ 56.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MSD42SWT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 150mA | |
| Stromableitung (Pd) | 150mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 300V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 25@1mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@200mA,2mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.0573 | $ 28.6500 |
| 1000+ | $0.0562 | $ 56.2000 |
