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onsemi MMUN2233LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMUN2233LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E886932 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80@5mA,10V 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0344 | $ 0.6880 |
| 200+ | $0.0275 | $ 5.5000 |
| 600+ | $0.0237 | $ 14.2200 |
| 3000+ | $0.0214 | $ 64.2000 |
| 9000+ | $0.0194 | $ 174.6000 |
| 21000+ | $0.0184 | $ 386.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MMUN2233LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 4.7kΩ | |
| Resistor Ratio | 0.1 | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 246mW | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Output Voltage(VO(on)) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 9000+ | $0.0194 | $ 174.6000 |
| 21000+ | $0.0184 | $ 386.4000 |
