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onsemi MMBT5551LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT5551LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E841095 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 160V 225mW 80@10mA,5.0V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 50+ | $0.0209 | $ 1.0450 |
| 500+ | $0.0167 | $ 8.3500 |
| 3000+ | $0.0111 | $ 33.3000 |
| 6000+ | $0.0097 | $ 58.2000 |
| 24000+ | $0.0091 | $ 218.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | onsemi MMBT5551LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
Einkaufsleitfaden
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