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onsemi MMBT5401LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT5401LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E821488 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 150V 300mW 60@10mA,5V 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 600+ | $0.0262 | $ 15.7200 |
| 3000+ | $0.0192 | $ 57.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | onsemi MMBT5401LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 150V | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 60 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Einkaufsleitfaden
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