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onsemi MMBT4401LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT4401LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E831776 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 225mW 20@100mA,1.0V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 50+ | $0.0194 | $ 0.9700 |
| 500+ | $0.0153 | $ 7.6500 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 6000+ | $0.0105 | $ 63.0000 |
| 24000+ | $0.0099 | $ 237.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | onsemi MMBT4401LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 750mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
Einkaufsleitfaden
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