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onsemi MMBFJ175LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBFJ175LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8133304 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 225mW 7mA 1 P-Channel 125Ω 30V SOT-23 JFETs RoHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2352 | $ 1.1760 |
| 50+ | $0.1856 | $ 9.2800 |
| 150+ | $0.1643 | $ 24.6450 |
| 500+ | $0.1378 | $ 68.9000 |
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| 6000+ | $0.1050 | $ 630.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,JFETs | |
| Datenblatt | onsemi MMBFJ175LT1G | |
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 125Ω | |
| FET Typ | P-Channel | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Ciss-Input Capacitance | 11pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Drain Current (Idss) | 7mA | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 30V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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