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onsemi MJD44H11T4G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MJD44H11T4G |
| EBEE-Teilenummer | E838780 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 20W 60@2A,1V 8A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar (BJT) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | onsemi MJD44H11T4G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Current - Collector(Ic) | 8A | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| DC Current Gain | 60 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V | |
| Transition frequency(fT) | 85MHz |
Einkaufsleitfaden
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