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onsemi MJD122G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MJD122G |
| EBEE-Teilenummer | E889910 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 1000@4V,4A NPN 8A 20W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9177 | $ 0.9177 |
| 10+ | $0.7701 | $ 7.7010 |
| 30+ | $0.6955 | $ 20.8650 |
| 75+ | $0.5700 | $ 42.7500 |
| 525+ | $0.5256 | $ 275.9400 |
| 975+ | $0.5018 | $ 489.2550 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Darlington Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MJD122G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Current - Collector(Ic) | 8A | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector Cutoff | 10uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 4V | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.7701 | $ 7.7010 |
| 30+ | $0.6955 | $ 20.8650 |
| 75+ | $0.5700 | $ 42.7500 |
| 525+ | $0.5256 | $ 275.9400 |
| 975+ | $0.5018 | $ 489.2550 |
