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onsemi MJD112T4G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MJD112T4G |
| EBEE-Teilenummer | E8233690 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 1000@3V,2A NPN 2A 20W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS |
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| 10+ | $0.3991 | $ 3.9910 |
| 30+ | $0.3516 | $ 10.5480 |
| 100+ | $0.2898 | $ 28.9800 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Darlington Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MJD112T4G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Current - Collector(Ic) | 2A | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector Cutoff | 20uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V | |
| Transition frequency(fT) | 25MHz |
Einkaufsleitfaden
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