| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BUV21G |
| EBEE-Teilenummer | E8897795 |
| Gehäuse | TO-204-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 250W 20@12A,2V 40A NPN TO-204-2 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $36.3581 | $ 36.3581 |
| 200+ | $14.0703 | $ 2814.0600 |
| 500+ | $13.5762 | $ 6788.1000 |
| 1000+ | $13.3318 | $ 13331.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi BUV21G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 40A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 3mA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 200V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 20@12A,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 8MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.5V@3A,25A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $36.3581 | $ 36.3581 |
| 200+ | $14.0703 | $ 2814.0600 |
| 500+ | $13.5762 | $ 6788.1000 |
| 1000+ | $13.3318 | $ 13331.8000 |
