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onsemi 2SD1801S-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SD1801S-E |
| EBEE-Teilenummer | E8898360 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 800mW 140@100mA,2V 2A NPN TO-251 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2683 | $ 0.2683 |
| 200+ | $0.1038 | $ 20.7600 |
| 500+ | $0.1003 | $ 50.1500 |
| 1000+ | $0.0984 | $ 98.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi 2SD1801S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 2A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 140@100mA,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 150MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 150mV@1A,50mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.0984 | $ 98.4000 |
