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onsemi 2SD1047P-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SD1047P-E |
| EBEE-Teilenummer | E83201303 |
| Gehäuse | TO-3PB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 140V 120W 100@1A,5V 12A NPN TO-3PB Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4681 | $ 4.4681 |
| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi 2SD1047P-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 12A | |
| Stromableitung (Pd) | 120W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 140V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@1A,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 15MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 2.5V@5A,500mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
