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onsemi 2SC3143-5-TB-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SC3143-5-TB-E |
| EBEE-Teilenummer | E83198310 |
| Gehäuse | CP-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 160V 200mW 60@10mA,5V 80mA NPN CP-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4559 | $ 0.4559 |
| 200+ | $0.1764 | $ 35.2800 |
| 500+ | $0.1702 | $ 85.1000 |
| 1000+ | $0.1672 | $ 167.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi 2SC3143-5-TB-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 80mA | |
| Stromableitung (Pd) | 200mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 160V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 60@10mA,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 150MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 700mV@30mA,3mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.1672 | $ 167.2000 |
