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onsemi 2SB1216S-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SB1216S-E |
| EBEE-Teilenummer | E8898353 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 20W 140@500mA,5V 4A PNP TO-251 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3303 | $ 0.3303 |
| 200+ | $0.1279 | $ 25.5800 |
| 500+ | $0.1234 | $ 61.7000 |
| 1000+ | $0.1211 | $ 121.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi 2SB1216S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 4A | |
| Stromableitung (Pd) | 20W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 1uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 140@500mA,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 180MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 150mV@2A,200mA | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.1234 | $ 61.7000 |
| 1000+ | $0.1211 | $ 121.1000 |
