| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SB1202S-E |
| EBEE-Teilenummer | E8898344 |
| Gehäuse | TO-251-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 15W 140@100mA,2V 3A NPN TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | onsemi 2SB1202S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 3A | |
| Stromableitung (Pd) | 15W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 1uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 140@100mA,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 150MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 190mV@2A,100mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
