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onsemi 2SA2012-TD-E


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SA2012-TD-E
EBEE-Teilenummer
E8898913
Gehäuse
SOT-89-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 3.5W 200@500mA,2V 5A PNP SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.3977$ 0.3977
200+$0.1539$ 30.7800
500+$0.1485$ 74.2500
1000+$0.1458$ 145.8000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors
Datenblattonsemi 2SA2012-TD-E
RoHS
Temperatur-
Sammlerstrom (Ic)5A
Stromableitung (Pd)3.5W
Sammler Cut-Off Current (Icbo)100nA
Durchlaufspannung (Vceo)30V
DC Current Gain (hFE-Ic,Vce)200@500mA,2V
Übergangsfrequenz (fT)350MHz
Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib)[email protected],125mA
TransistortypPNP

Einkaufsleitfaden

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