| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5830 |
| EBEE-Teilenummer | E83202043 |
| Gehäuse | TO-92-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 625mW 80@10mA,5V 200mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1520 | $ 0.1520 |
| 200+ | $0.0589 | $ 11.7800 |
| 500+ | $0.0568 | $ 28.4000 |
| 1000+ | $0.0558 | $ 55.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | ||
| Datenblatt | onsemi 2N5830 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 200mA | |
| Stromableitung (Pd) | 625mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 50nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 80@10mA,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 250mV@50mA,5mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1520 | $ 0.1520 |
| 200+ | $0.0589 | $ 11.7800 |
| 500+ | $0.0568 | $ 28.4000 |
| 1000+ | $0.0558 | $ 55.8000 |
