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onsemi 1N4448TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N4448TR |
| EBEE-Teilenummer | E8258171 |
| Gehäuse | DO-35 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 1V@100mA 4ns 200mA DO-35 Switching Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Datenblatt | onsemi 1N4448TR | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@75V | |
| Diode Configuration | - | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@100mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃@(Tj) |
Einkaufsleitfaden
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