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NXP Semicon BC856B/DG/B3235


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BC856B/DG/B3235
EBEE-Teilenummer
E83201064
Gehäuse
TO-236AB
Kundennummer
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.0608$ 0.0608
200+$0.0236$ 4.7200
500+$0.0228$ 11.4000
1000+$0.0223$ 22.3000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieTransistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT)
RoHS
Temperatur-
Sammlerstrom (Ic)100mA
Stromableitung (Pd)250mW
Sammler Cut-Off Current (Icbo)15nA
Durchlaufspannung (Vceo)65V
DC Current Gain (hFE-Ic,Vce)125@2mA,5V
Übergangsfrequenz (fT)100MHz
Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib)650mV@100mA,5mA
TransistortypPNP

Einkaufsleitfaden

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