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NTE ELECTRONICS, INC. TIP33B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TIP33B |
| EBEE-Teilenummer | E86284529 |
| Gehäuse | TO-218 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 80W 100@3A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics TIP33B | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 10A | |
| Stromableitung (Pd) | 80W | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@3A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 3MHz | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
