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NTE ELECTRONICS, INC. NTE38
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE38 |
| EBEE-Teilenummer | E86943820 |
| Gehäuse | TO-66 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 35W 10@1A,4V 2A PNP TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE38 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 2A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 5mA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 10@1A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 20MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 2V@125mA,1A | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
