| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE24 |
| EBEE-Teilenummer | E87015825 |
| Gehäuse | TO-237 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 850mW 40@250mA,2V 1A NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2276 | $ 3.2276 |
| 200+ | $1.2879 | $ 257.5800 |
| 500+ | $1.2461 | $ 623.0500 |
| 1000+ | $1.2235 | $ 1223.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE24 | |
| RoHS | ||
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 850mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@250mA,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 50MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.5V@100mA,1A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2276 | $ 3.2276 |
| 200+ | $1.2879 | $ 257.5800 |
| 500+ | $1.2461 | $ 623.0500 |
| 1000+ | $1.2235 | $ 1223.5000 |
