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NTE ELECTRONICS, INC. NTE2322
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE2322 |
| EBEE-Teilenummer | E86943681 |
| Gehäuse | DIP-14 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 650mW 100@150mA,10V 600mA PNP DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6717 | $ 13.6717 |
| 200+ | $5.4565 | $ 1091.3000 |
| 500+ | $5.2736 | $ 2636.8000 |
| 1000+ | $5.1829 | $ 5182.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE2322 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+125℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 600mA | |
| Stromableitung (Pd) | 650mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 50nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 40V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 200MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.6V@30mA,300mA | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $5.2736 | $ 2636.8000 |
| 1000+ | $5.1829 | $ 5182.9000 |
