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NTE ELECTRONICS, INC. NTE227
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE227 |
| EBEE-Teilenummer | E86721699 |
| Gehäuse | TO-237 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 300V 850mW 40@10mA,10V 100mA NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7243 | $ 7.7243 |
| 200+ | $3.0832 | $ 616.6400 |
| 500+ | $2.9803 | $ 1490.1500 |
| 1000+ | $2.9280 | $ 2928.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE227 | |
| RoHS | ||
| Sammlerstrom (Ic) | 100mA | |
| Stromableitung (Pd) | 850mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 300V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@10mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 200MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1V@2mA,20mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $3.0832 | $ 616.6400 |
| 500+ | $2.9803 | $ 1490.1500 |
| 1000+ | $2.9280 | $ 2928.0000 |
