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NTE ELECTRONICS, INC. NTE180
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE180 |
| EBEE-Teilenummer | E86721648 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 200W [email protected],2V 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE180 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 30A | |
| Stromableitung (Pd) | 200W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 1mA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | [email protected],2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 2MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 800mV@750mA,7.5A | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
