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NTE ELECTRONICS, INC. NTE128P
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE128P |
| EBEE-Teilenummer | E86721596 |
| Gehäuse | TO-237 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 850mW 100@350mA,2V 1A NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.2197 | $ 9.2197 |
| 200+ | $3.6792 | $ 735.8400 |
| 500+ | $3.5572 | $ 1778.6000 |
| 1000+ | $3.4962 | $ 3496.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE128P | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 850mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@350mA,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 50MHz | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $3.6792 | $ 735.8400 |
| 500+ | $3.5572 | $ 1778.6000 |
| 1000+ | $3.4962 | $ 3496.2000 |
