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NTE ELECTRONICS, INC. BDV65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BDV65 |
| EBEE-Teilenummer | E85596252 |
| Gehäuse | TO-218 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 125W 1000@5A,4V 12A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9704 | $ 6.9704 |
| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics BDV65 | |
| RoHS | ||
| Sammlerstrom (Ic) | 12A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 60V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 1000@5A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 60MHz | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
