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NTE ELECTRONICS, INC. BDV64
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BDV64 |
| EBEE-Teilenummer | E85576831 |
| Gehäuse | TO-218 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 125W 1000@5A,4V 12A PNP TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1830 | $ 7.1830 |
| 200+ | $2.8666 | $ 573.3200 |
| 500+ | $2.7708 | $ 1385.4000 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics BDV64 | |
| RoHS | ||
| Sammlerstrom (Ic) | 12A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 60V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 1000@5A,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 60MHz | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $7.1830 | $ 7.1830 |
| 200+ | $2.8666 | $ 573.3200 |
| 500+ | $2.7708 | $ 1385.4000 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
