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NTE ELECTRONICS, INC. 2N6730
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N6730 |
| EBEE-Teilenummer | E86803492 |
| Gehäuse | TO-237 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 1W 80@50mA,1V 2A PNP TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7694 | $ 2.7694 |
| 200+ | $1.1050 | $ 221.0000 |
| 500+ | $1.0685 | $ 534.2500 |
| 1000+ | $1.0510 | $ 1051.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | NTE Electronics 2N6730 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 2A | |
| Stromableitung (Pd) | 1W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 80@50mA,1V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 500MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@10mA,250mA | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 200+ | $1.1050 | $ 221.0000 |
| 500+ | $1.0685 | $ 534.2500 |
| 1000+ | $1.0510 | $ 1051.0000 |
