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MSKSEMI MURA220T3G-MS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURA220T3G-MS |
| EBEE-Teilenummer | E819272824 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 950mV@2A 35ns Independent Type 2A 200V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Datenblatt | MSKSEMI MURA220T3G-MS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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