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MSKSEMI MMBT3906LP(MS)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT3906LP(MS) |
| EBEE-Teilenummer | E822365394 |
| Gehäuse | DFN1006-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 40V 200mA PNP DFN1006-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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|---|---|---|
| 50+ | $0.0207 | $ 1.0350 |
| 500+ | $0.0164 | $ 8.2000 |
| 1500+ | $0.0141 | $ 21.1500 |
| 10000+ | $0.0126 | $ 126.0000 |
| 20000+ | $0.0114 | $ 228.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MSKSEMI MMBT3906LP(MS) | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Einkaufsleitfaden
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