| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JANSR2N3439 |
| EBEE-Teilenummer | E83201254 |
| Gehäuse | TO-39(TO-205AD) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 800mW 40@20mA,10V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP JANSR2N3439 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 2uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
