| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JANSP2N3439 |
| EBEE-Teilenummer | E85658861 |
| Gehäuse | TO-39(TO-205AD) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $822.4967 | $ 822.4967 |
| 200+ | $328.1825 | $ 65636.5000 |
| 500+ | $317.2163 | $ 158608.1500 |
| 1000+ | $311.7969 | $ 311796.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP JANSP2N3439 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+200℃ | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 2uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $822.4967 | $ 822.4967 |
| 200+ | $328.1825 | $ 65636.5000 |
| 500+ | $317.2163 | $ 158608.1500 |
| 1000+ | $311.7969 | $ 311796.9000 |
