| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JANSD2N3439U4 |
| EBEE-Teilenummer | E86280532 |
| Gehäuse | SMD-3P |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,258.3433 | $ 1258.3433 |
| 200+ | $502.0879 | $ 100417.5800 |
| 500+ | $485.3102 | $ 242655.1000 |
| 1000+ | $477.0190 | $ 477019.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 2uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,258.3433 | $ 1258.3433 |
| 200+ | $502.0879 | $ 100417.5800 |
| 500+ | $485.3102 | $ 242655.1000 |
| 1000+ | $477.0190 | $ 477019.0000 |
