| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JANSD2N2222AUA |
| EBEE-Teilenummer | E86884123 |
| Gehäuse | SMD-4P |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 650mW 100@150mA,10V 800mA NPN SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $551.0854 | $ 551.0854 |
| 200+ | $219.8879 | $ 43977.5800 |
| 500+ | $212.5402 | $ 106270.1000 |
| 1000+ | $208.9082 | $ 208908.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 800mA | |
| Stromableitung (Pd) | 650mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 50nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1V@50mA,500mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $551.0854 | $ 551.0854 |
| 200+ | $219.8879 | $ 43977.5800 |
| 500+ | $212.5402 | $ 106270.1000 |
| 1000+ | $208.9082 | $ 208908.2000 |
